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•Latest technologies of Full-SiC Power Devices by Dr. Kondo Harufusa
•Failure Mode of Power Module by Mr. He Hongtao
•New generation HVIGBT by Mr. Sun Jian
Time:13:30-17:00, Dec. 11 (Tuesday), 2018
Venue: 3-102,West Main-building
聯系人：袁立強
【關閉】
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